场能次揭潮(b)100μM的1-NFs在800nm和745nm处温度依赖的PA信号。
应变:否再在半金属锗中,拉伸应变达到16%时会将狄拉克点移到费米能级之上,其中由于sp杂化轨道降低以及Ge-Ge键边长而展现p型特性。虽然取得了一定的进展,起新但是还远远不够。
[7]4 主族二维材料的带隙调制纳米材料中的带隙在光电子性质中起着重要的作用,场能次揭潮并决定着它们的应用。其他2D材料已经在这些领域显示出了巨大的潜力,否再包括柔性低功率电子产品,由于其固有的材料柔性,低打开电压,与聚合物基板的兼容性。随着层数的增加,起新带隙显著减小,因为块体黑磷带隙仅为0.3eV。
场能次揭潮图5总结了几种二维材料的光电探测器性能和优点。二维材料,否再包括石墨烯、否再过渡金属硫属化物,具有跨越该波长范围的带隙,从近红外(NIR)到中红外(MIR)和远红外(FIR),即1~10µm,这使它们成为红外探测器等新兴的候选材料。
起新未来器件性能的改善应该会导致更低的响应时间(更高的带宽)和更高的响应率。
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